Samsung lanserar 400-lagers NAND och zHBM-minne för AI

Samsung Electronics använde konferensen Future of Memory and Storage i Santa Clara, Kalifornien, på tisdagen för att introducera en rad nästa generations minnestekniker anpassade för de växande kraven inom AI-beräkningar. Detta inkluderar en V10 Bonding V-NAND-prototyp med över 400 lager samt konceptmodeller för vertikalt staplade minnesarkitekturer kallade zHBM och zNAND-O.news.samsung+1

Tillkännagivandena kommer i samband med att Samsung återtog förstaplatsen på den globala DRAM-marknaden under andra kvartalet 2026 med en marknadsandel på 39 procent, enligt Counterpoint Research, och därmed gick om SK Hynix ↘ 3.12% som hade 26 procent.seekingalpha+1

En ny arkitektur för NAND och HBM

V10 BV-NAND markerar en milstolpe 13 år efter att Samsung introducerade branschens första vertikala NAND 2013. Det nya chippet använder wafer-bonding-teknik för att stapla minnesceller, vilket ökar densiteten med cirka 58 procent jämfört med den tidigare V9-generationen samtidigt som läs-, skriv- och I/O-prestandan förbättras.wkzo+2

Samsung förhandsvisade även zHBM, en konceptarkitektur som staplar högbandbreddsminne direkt ovanpå AI-acceleratorer istället för att placera det bredvid processorer som i konventionella designer. Företaget uppgav att metoden kan leverera ungefär åtta gånger prestandan hos HBM5, mer än 10 gånger minnestätheten, tredubbla energieffektiviteten och minska det termiska motståndet med mer än hälften. Ett kompletterande koncept, zNAND-O, riktar sig till edge AI-miljöer med låg latens och högdensitetslagring i konfigurationer med fyra och åtta lager.marketscreener+2

AI-efterfrågan driver utvecklingen

Som Reuters rapporterat expanderar AI-arbetsbelastningar bortom modellträning till inferens, processen att generera svar på användarfrågor, vilket driver ny efterfrågan på lagring med hög kapacitet och energieffektivitet. Samsung avslöjade förra veckan att långsiktiga avtal med kunder så småningom kan stå för 60 till 70 procent av minnesförsäljningen, ett skifte som analytiker menar kan minska företagets exponering mot volatila spotpriscykler.finimize+2

Analytiker från Citi noterade förra månaden att lagernivåerna i DRAM- och NAND-leveranskedjan förblir långt under historiska nivåer trots oro för dämpad efterfrågan på smartphones i Kina.wkzo+1

Bredare färdplan

Utöver huvudprototyperna visade Samsung upp HBM4E-prover, som de började leverera till globala kunder i maj, tillsammans med en HBM5-modell och LPDDR5X-PIM, deras första lågenergiminne med processorkapacitet direkt i minnet. Företaget positionerade sig som den enda integrerade enhetstillverkaren som täcker minne, foundry och avancerad paketering, och erbjuder vad de kallar "one-stop turnkey-lösningar" för kunder inom AI-halvledare.news.samsung

Aktier i minneschiptillverkare, inklusive Micron Technology ↘ 2.22% och SanDisk Western Digital Corporation ↗ 1.96%, steg i förhandeln på tisdagen mitt i en bredare våg av AI-driven optimism i sektorn.stocktwits