Samsung představil 400vrstvé NAND a zHBM paměti pro AI

Společnost Samsung Electronics využila úterní konferenci Future of Memory and Storage v kalifornské Santa Claře k představení sady paměťových technologií příští generace zaměřených na rostoucí nároky AI computingu, včetně prototypu V10 Bonding V-NAND s více než 400 vrstvami a koncepčních modelů pro vertikálně vrstvené paměťové architektury zvané zHBM a zNAND-O.news.samsung+1

Oznámení přicházejí v době, kdy Samsung podle společnosti Counterpoint Research ve druhém čtvrtletí roku 2026 znovu ovládl globální trh s DRAM s podílem 39 %, čímž předstihl SK Hynix ↘ 3.12%, který držel 26 %.seekingalpha+1

Nová architektura pro NAND a HBM

V10 BV-NAND představuje milník 13 let poté, co Samsung v roce 2013 uvedl první vertikální NAND na trh. Nový čip využívá technologii spojování waferů k vrstvení paměťových buněk, čímž zvyšuje hustotu o zhruba 58 % oproti předchozí generaci V9 a zároveň zlepšuje výkon čtení, zápisu a I/O.wkzo+2

Samsung také představil zHBM, koncepční architekturu, která umisťuje paměť s vysokou šířkou pásma přímo nad akcelerátory AI, namísto jejich umístění vedle procesorů jako u běžných návrhů. Společnost uvedla, že tento přístup by mohl přinést přibližně osminásobný výkon oproti HBM5, více než desetinásobnou hustotu paměti, trojnásobnou energetickou účinnost a snížit tepelný odpor o více než polovinu. Další koncept, zNAND-O, cílí na edge AI prostředí s nízkou latencí a vysokou hustotou úložiště ve čtyř- a osmivrstvých konfiguracích.marketscreener+2

Poptávka po AI jako hlavní motor

Jak uvedla agentura Reuters, pracovní zátěže AI se rozšiřují za hranice trénování modelů směrem k inferenci – procesu generování odpovědí na dotazy uživatelů – což zvyšuje poptávku po vysokokapacitních a energeticky úsporných úložištích. Samsung minulý týden oznámil, že dlouhodobé smlouvy se zákazníky by mohly nakonec tvořit 60 % až 70 % jeho prodejů pamětí, což je posun, který podle analytiků může snížit vystavení společnosti volatilním cyklům spotových cen.finimize+2

Analytici Citi minulý měsíc poznamenali, že zásoby v dodavatelském řetězci DRAM a NAND zůstávají hluboko pod historickými úrovněmi, a to i přes obavy z ochabující poptávky po chytrých telefonech v Číně.wkzo+1

Širší plán

Kromě hlavních prototypů Samsung předvedl vzorky HBM4E, které začal globálním zákazníkům dodávat v květnu, spolu s modelem HBM5 a LPDDR5X-PIM, svou první nízkoenergetickou pamětí s funkcí zpracování v paměti (processing-in-memory). Společnost se prezentuje jako jediný výrobce integrovaných zařízení pokrývající paměti, slévárenskou výrobu i pokročilé balení, čímž nabízí tzv. řešení na klíč pro zákazníky v oblasti AI polovodičů.news.samsung

Akcie výrobců paměťových čipů, včetně Micron Technology ↘ 2.22% a SanDisk Western Digital Corporation ↗ 1.96%, v úterním předobchodním období posílily v rámci širší vlny optimismu v sektoru poháněného umělou inteligencí.stocktwits