Samsung-მა ხელოვნური ინტელექტისთვის 400-ფენიანი NAND და zHBM მეხსიერება წარადგინა

6 წყარო
  • Samsung-მა სამშაბათს, FMS 2026-ის კონფერენციაზე, 400-ზე მეტ ფენიანი V10 BV-NAND პროტოტიპი და zHBM კონცეპტუალური არქიტექტურა წარადგინა.
  • zHBM დიზაინი მეხსიერებას პირდაპირ ხელოვნური ინტელექტის ამაჩქარებლების ზემოთ ათავსებს, რაც, Samsung-ის განცხადებით, HBM5-თან შედარებით დაახლოებით რვაჯერ მაღალ წარმადობას უზრუნველყოფს.
  • 2026 წლის მეორე კვარტალში Samsung-მა DRAM-ის გლობალურ ბაზარზე ლიდერობა დაიბრუნა და SK Hynix-ს გაუსწრო, რადგან ხელოვნური ინტელექტის მოთხოვნა მეხსიერების სექტორში ინვესტიციებს ზრდის.
წყაროები (6)
  1. 1 Samsung Unveils Next-Gen 3D-Memory Vision at FMS 2026, Charting the Future of AI Infrastructure news.samsung.com
  2. 2 Samsung Electronics launches next-generation AI memory technology wkzo.com
  3. 3 Samsung secures No. 1 spot for DRAM market share during Q2: Counterpoint seekingalpha.com
  4. 4 MU, SNDK, DRAM Stocks Advance Premarket: Samsung Reclaims DRAM Lead, Micron Narrows Gap With SK Hynix stocktwits.com
  5. 5 Samsung Electronics launches next-generation AI memory technology www.marketscreener.com
  6. 6 Samsung Shows Off Next-Gen NAND For AI Storage finimize.com