Samsung dévoile une mémoire NAND à 400 couches et zHBM pour l’IA

Samsung Electronics a profité de la conférence Future of Memory and Storage à Santa Clara, en Californie, mardi pour présenter une suite de technologies de mémoire de nouvelle génération répondant aux demandes croissantes de l'informatique liée à l'IA, notamment un prototype V10 Bonding V-NAND de plus de 400 couches et des modèles conceptuels d'architectures de mémoire empilées verticalement appelés zHBM et zNAND-O.news.samsung+1

Ces annonces interviennent alors que Samsung a repris la première place du marché mondial de la DRAM au cours du deuxième trimestre 2026 avec une part de 39%, selon Counterpoint Research, dépassant SK Hynix ↘ 3.12%, qui en détenait 26%.seekingalpha+1

Une nouvelle architecture pour la NAND et la HBM

La V10 BV-NAND marque une étape importante, 13 ans après que Samsung a introduit la première NAND verticale de l'industrie en 2013. La nouvelle puce utilise la technologie de liaison de plaquettes pour empiler les cellules de mémoire, augmentant la densité d'environ 58% par rapport à la génération V9 précédente tout en améliorant les performances de lecture, d'écriture et d'E/S.wkzo+2

Samsung a également présenté en avant-première la zHBM, une architecture conceptuelle qui empile la mémoire à large bande passante directement au-dessus des accélérateurs d'IA plutôt que de la placer à côté des processeurs comme dans les conceptions conventionnelles. L'entreprise a déclaré que cette approche pourrait offrir environ huit fois les performances de la HBM5, plus de 10 fois sa densité de mémoire, tripler son efficacité énergétique et réduire la résistance thermique de plus de moitié. Un concept complémentaire, le zNAND-O, cible les environnements d'IA en périphérie avec un stockage à faible latence et haute densité dans des configurations à quatre et huit couches.marketscreener+2

La demande en IA soutient cette dynamique

Comme l'a rapporté Reuters, les charges de travail liées à l'IA s'étendent au-delà de l'entraînement des modèles vers l'inférence, le processus de génération de réponses aux requêtes des utilisateurs, ce qui stimule une nouvelle demande pour un stockage haute capacité et économe en énergie. Samsung a révélé la semaine dernière que les accords à long terme avec les clients pourraient finir par représenter 60% à 70% de ses ventes de mémoire, un changement qui, selon les analystes, pourrait réduire l'exposition de l'entreprise aux cycles volatils des prix au comptant.finimize+2

Les analystes de Citi ont noté le mois dernier que les stocks de la chaîne d'approvisionnement en DRAM et NAND restent bien en dessous des niveaux historiques malgré les inquiétudes concernant le ralentissement de la demande de smartphones en Chine.wkzo+1

Une feuille de route plus large

Au-delà des prototypes phares, Samsung a présenté des échantillons de HBM4E, qu'il a commencé à livrer à ses clients mondiaux en mai, ainsi qu'un modèle HBM5 et la LPDDR5X-PIM, sa première mémoire basse consommation dotée de capacités de traitement en mémoire. L'entreprise s'est positionnée comme le seul fabricant de dispositifs intégrés couvrant la mémoire, la fonderie et l'emballage avancé, offrant ce qu'elle appelle des solutions clés en main pour les clients du secteur des semi-conducteurs pour l'IA.news.samsung

Les actions des fabricants de puces mémoire, notamment Micron Technology ↘ 2.22% et SanDisk Western Digital Corporation ↗ 1.96%, ont progressé lors des échanges avant bourse mardi dans le sillage de l'optimisme général suscité par l'IA dans le secteur.stocktwits