Samsung, yapay zeka için 400 katmanlı NAND ve zHBM belleğini tanıttı

6 kaynak
  • Samsung, Salı günü FMS 2026 konferansında 400'den fazla katmana sahip V10 BV-NAND prototipini ve zHBM konsept mimarisini tanıttı.
  • zHBM tasarımı, belleği doğrudan yapay zeka hızlandırıcılarının üzerine istifliyor; Samsung, bunun HBM5'ten yaklaşık sekiz kat daha fazla performans sunabileceğini belirtiyor.
  • Samsung, yapay zeka talebinin bellek yatırımlarını artırmasıyla 2026'nın ikinci çeyreğinde DRAM pazarındaki küresel liderliğini SK Hynix'ten geri aldı.
Kaynaklar (6)
  1. 1 Samsung Unveils Next-Gen 3D-Memory Vision at FMS 2026, Charting the Future of AI Infrastructure news.samsung.com
  2. 2 Samsung Electronics launches next-generation AI memory technology wkzo.com
  3. 3 Samsung secures No. 1 spot for DRAM market share during Q2: Counterpoint seekingalpha.com
  4. 4 MU, SNDK, DRAM Stocks Advance Premarket: Samsung Reclaims DRAM Lead, Micron Narrows Gap With SK Hynix stocktwits.com
  5. 5 Samsung Electronics launches next-generation AI memory technology www.marketscreener.com
  6. 6 Samsung Shows Off Next-Gen NAND For AI Storage finimize.com