Samsung presenta memorias NAND de 400 capas y zHBM para IA

Samsung Electronics aprovechó la conferencia Future of Memory and Storage en Santa Clara, California, este martes para presentar un conjunto de tecnologías de memoria de próxima generación destinadas a satisfacer la creciente demanda de la computación de IA, incluyendo un prototipo V10 Bonding V-NAND de más de 400 capas y modelos conceptuales de arquitecturas de memoria apilada verticalmente llamados zHBM y zNAND-O.news.samsung+1

Los anuncios se producen mientras Samsung recupera la primera posición en el mercado global de DRAM durante el segundo trimestre de 2026 con una cuota del 39%, según Counterpoint Research, superando a SK Hynix ↘ 3.12%, que obtuvo un 26%.seekingalpha+1

Una nueva arquitectura para NAND y HBM

La V10 BV-NAND marca un hito 13 años después de que Samsung introdujera la primera NAND vertical de la industria en 2013. El nuevo chip utiliza tecnología de unión de obleas para apilar celdas de memoria, aumentando la densidad en aproximadamente un 58% respecto a la generación V9 anterior, al tiempo que mejora el rendimiento de lectura, escritura y E/S.wkzo+2

Samsung también presentó zHBM, una arquitectura conceptual que apila memoria de gran ancho de banda directamente sobre los aceleradores de IA en lugar de colocarla junto a los procesadores como en los diseños convencionales. La compañía afirmó que este enfoque podría ofrecer aproximadamente ocho veces el rendimiento de la HBM5, más de 10 veces su densidad de memoria, triplicar su eficiencia energética y reducir la resistencia térmica a más de la mitad. Un concepto complementario, zNAND-O, se dirige a entornos de IA en el borde con almacenamiento de baja latencia y alta densidad en configuraciones de cuatro y ocho capas.marketscreener+2

La demanda de IA respalda el impulso

Como informó Reuters, las cargas de trabajo de IA se están expandiendo más allá del entrenamiento de modelos hacia la inferencia, el proceso de generar respuestas a las consultas de los usuarios, lo que impulsa una nueva demanda de almacenamiento de alta capacidad y eficiencia energética. Samsung reveló la semana pasada que los acuerdos a largo plazo con clientes podrían representar eventualmente entre el 60% y el 70% de sus ventas de memoria, un cambio que, según los analistas, podría reducir la exposición de la compañía a los ciclos volátiles de precios al contado.finimize+2

Los analistas de Citi señalaron el mes pasado que los inventarios de la cadena de suministro de DRAM y NAND permanecen muy por debajo de los niveles históricos a pesar de las preocupaciones sobre la suavización de la demanda de teléfonos inteligentes en China.wkzo+1

Hoja de ruta más amplia

Más allá de los prototipos destacados, Samsung exhibió muestras de HBM4E, que comenzó a enviar a clientes globales en mayo, junto con un modelo HBM5 y LPDDR5X-PIM, su primera memoria de bajo consumo con capacidad de procesamiento en memoria. La compañía se posicionó como el único fabricante de dispositivos integrados que abarca memoria, fundición y empaquetado avanzado, ofreciendo lo que denominó soluciones integrales llave en mano para clientes de semiconductores de IA.news.samsung

Las acciones de los fabricantes de chips de memoria, incluidos Micron Technology ↘ 2.22% y SanDisk Western Digital Corporation ↗ 1.96%, subieron en las operaciones previas a la apertura del mercado el martes en medio de la ola general de optimismo impulsada por la IA en el sector.stocktwits