„Samsung“ pristatė 400 sluoksnių NAND ir zHBM atmintį dirbtiniam intelektui

6 šaltiniai
  • „Samsung“ antradienį vykusioje FMS 2026 konferencijoje pristatė savo V10 BV-NAND prototipą su daugiau nei 400 sluoksnių bei zHBM koncepcinę architektūrą.
  • zHBM dizainas atmintį deda tiesiai virš dirbtinio intelekto greitintuvų, o tai, pasak „Samsung“, gali užtikrinti maždaug aštuonis kartus didesnį našumą nei HBM5.
  • 2026 m. antrąjį ketvirtį „Samsung“ susigrąžino didžiausią pasaulinę DRAM rinkos dalį, aplenkdama „SK Hynix“ , nes dirbtinio intelekto paklausa skatina investicijas į atminties technologijas.
Šaltiniai (6)
  1. 1 Samsung Unveils Next-Gen 3D-Memory Vision at FMS 2026, Charting the Future of AI Infrastructure news.samsung.com
  2. 2 Samsung Electronics launches next-generation AI memory technology wkzo.com
  3. 3 Samsung secures No. 1 spot for DRAM market share during Q2: Counterpoint seekingalpha.com
  4. 4 MU, SNDK, DRAM Stocks Advance Premarket: Samsung Reclaims DRAM Lead, Micron Narrows Gap With SK Hynix stocktwits.com
  5. 5 Samsung Electronics launches next-generation AI memory technology www.marketscreener.com
  6. 6 Samsung Shows Off Next-Gen NAND For AI Storage finimize.com