Samsung kynnir 400 laga NAND og zHBM minni fyrir gervigreind

6 heimildir
  • Samsung kynnti V10 BV-NAND frumgerð sína með yfir 400 lögum og zHBM arkitektúr á FMS 2026 ráðstefnunni á þriðjudag.
  • zHBM hönnunin staflar minni beint ofan á gervigreindarörva, sem Samsung segir að gæti skilað um það bil áttföldum afköstum miðað við HBM5.
  • Samsung endurheimti efsta sætið á heimsmarkaði fyrir DRAM á öðrum ársfjórðungi 2026 og fór fram úr SK Hynix , þar sem eftirspurn eftir gervigreind knýr fjárfestingar í minnistækni.
Heimildir (6)
  1. 1 Samsung Unveils Next-Gen 3D-Memory Vision at FMS 2026, Charting the Future of AI Infrastructure news.samsung.com
  2. 2 Samsung Electronics launches next-generation AI memory technology wkzo.com
  3. 3 Samsung secures No. 1 spot for DRAM market share during Q2: Counterpoint seekingalpha.com
  4. 4 MU, SNDK, DRAM Stocks Advance Premarket: Samsung Reclaims DRAM Lead, Micron Narrows Gap With SK Hynix stocktwits.com
  5. 5 Samsung Electronics launches next-generation AI memory technology www.marketscreener.com
  6. 6 Samsung Shows Off Next-Gen NAND For AI Storage finimize.com