Intel-მა სუპერდიდი AI ჩიპების შექმნის მთავარი დაბრკოლება გადალახა

Intel-მა ↘ 1.02% რიო-რანჩოში, ნიუ-მექსიკოში მდებარე საწარმოში ჩიპების მოწინავე კორპუსირების სფეროში მიღწეული გარღვევების შესახებ გამოაცხადა. კომპანიამ გადაჭრა ინკაფსულაციის საკვანძო პრობლემა, რაც გზას უხსნის სტანდარტულ ფოტოლოგიურ ბადეზე 24-ჯერ დიდი, სუპერდიდი ჩიპების კორპუსების შექმნას: ეს ბევრად აღემატება იმას, რასაც ნახევარგამტარულმა ინდუსტრიამ დღემდე მიაღწია.

ინკაფსულაციის ბარიერის გადალახვა

29 ივლისს გამოქვეყნებულ განცხადებებში Intel Foundry-მ დეტალურად აღწერა, თუ როგორ გადალახეს მისმა ინჟინრებმა უფრო და უფრო დიდი ზომის ჩიპების შექმნის ერთ-ერთი ყველაზე რთული დაბრკოლება: ქვედა შევსების მასალის საიმედო გადანაწილება მანძილებზე, რომლებიც კორპუსის ზომასთან ერთად იზრდება. ამჟამად Intel-ის EMIB ტექნოლოგიით შევსების მაქსიმალური მანძილი დაახლოებით 43 მმ-ია, ხოლო სტანდარტული დიზაინებით: 22 მმ. ბადის ზომის 5-დან 10-მაგამდე და უფრო მეტად გაზრდისას, მასალამ ბევრად დიდ მანძილზე უნდა იმოძრაოს და ამავდროულად აღმოფხვრას ჰაერის ბუშტუკები, რომლებიც საიმედოობას საფრთხეს უქმნის.newsroom.intel+1

Intel-ის გადაწყვეტა სამ კოორდინირებულ ინოვაციას ეყრდნობა. პირველი, შემცირებული სიბლანტის მქონე ოპტიმიზებული ქვედა შევსების მასალა ჰერმეტიკს საშუალებას აძლევს, მექანიკური მთლიანობის დარღვევის გარეშე დაფაროს უფრო დიდი მანძილი. მეორე, მრავალწერტილოვანი დატანის ახალი სტრატეგია აუმჯობესებს დაფარვის ზონას და ამცირებს ეფექტურ მანძილს. მესამე, ზუსტად მორგებული გამყარების პროცესი აქრობს სიცარიელეებს უდეფექტო კორპუსების მისაღებად.wccftech

კომპანიამ ეს მიდგომა Hyper-Large Form Factor არქიტექტურის რამდენიმე კორპუსზე გამოსცადა, მათ შორის EMIB-ზე დაფუძნებულ კორპუსზე, რომელიც ბადეს 5-ჯერ აღემატება, მოიცავს 18 კრისტალს და HBM მეხსიერების 12 ზონას, ასევე ფილურ EMIB კორპუსზე 7-მაგ ბადეზე მეტი ზომით. ორივე შემთხვევაში სრულიად უჰაერო ინკაფსულაცია მიიღწევა. Intel-ის საგზაო რუკა 24-მაგი ბადის ზომის (240 მმ x 240 მმ) კორპუსების შექმნას ითვალისწინებს, ხოლო პანელურ დონეზე კორპუსირება საბოლოოდ ბადის 50-მაგ ზომას გადააჭარბებს.wccftech

AI-ის უპრეცედენტო მასშტაბით უზრუნველყოფა

რიო-რანჩოს საწარმო, რომელიც 1980 წელს 25 თანამშრომლით დაიწყო, ახლა 2 700 ადამიანს ასაქმებს. ის იყენებს ისეთ ტექნოლოგიებს, როგორებიცაა Foveros 3D სტეკინგი, EMIB კრემნიუმის ხიდები და უახლესი EMIB-T ვარიანტი, რომელიც ენერგიას პირდაპირ ხიდის არხებით აწვდის მაღალი გამტარუნარიანობის მეხსიერების მოთხოვნების დასაკმაყოფილებლად. მოსალოდნელია, რომ ამ მასშტაბის კორპუსები 15-დან 25 კილოვატამდე სიმძლავრეზე იმუშავებს, რაც მოითხოვს მოდულურ გაგრილების არქიტექტურას და ჩაშენებულ კრემნიუმის კონდენსატორებს 1 მილიფარადამდე ლოკალური ენერგიის შესანახად.newsroom.intel+1

"ზოგიერთი მომხმარებელი ჩვენთან პირველ რიგში მოწინავე კორპუსირებისთვის მოდის," განაცხადა ქეთი პროუტიმ, Intel-ის Fab 9 საწარმოს მენეჯერმა. "როდესაც მათ შეკვეთებს წარმატებით ვასრულებთ, Intel-ის, როგორც ჩიპების მწარმოებლისადმი მათი ნდობა კიდევ უფრო იზრდება."newsroom.intel

ეკოსისტემის გაფართოება

კორპუსირების ტექნოლოგიების განვითარება გარე პარტნიორებსაც იზიდავს. ნახევარგამტარული მომსახურების კომპანია Tessolve-მა Intel Foundry-სთან თანამშრომლობა გამოაცხადა EMIB-ზე დაფუძნებული მოწინავე კორპუსების პროექტირების მხარდასაჭერად, რისთვისაც უკვე დაასრულა სრული ციკლის დიზაინისა და სიმულაციის პროექტი. Tessolve-ის თანადამფუძნებელმა და გენერალურმა დირექტორმა, სრინი ჩინამილიმ აღნიშნა, რომ ეს პარტნიორობა კომპანიას საშუალებას აძლევს "კიდევ უფრო გააფართოოს შეთავაზებები Intel Foundry-ს კლიენტებისთვის". Intel-მა ასევე ახლახან განაცხადა Lens Technology-სთან თანამშრომლობის შესახებ მინის სუბსტრატზე დაფუძნებულ კორპუსირების გადაწყვეტებზე AI და მონაცემთა ცენტრების აპლიკაციებისთვის.chiplet-marketplace+3