Intel překonal klíčovou překážku při výrobě obřích čipů pro AI

Společnost Intel ↘ 5.12% ve svém závodě v Rio Rancho v Novém Mexiku oznámila řadu průlomů v pokročilém zapouzdření čipů. Vyřešila tak klíčový problém při zalévání, což otevírá cestu k extrémně velkým čipovým pouzdrům dosahujícím až 24násobku standardní velikosti osvitového pole, což výrazně překračuje vše, čeho dosud polovodičový průmysl dosáhl.

Překonání překážky v zapouzdření

V oznámeních zveřejněných 29. července divize Intel Foundry podrobně popsala, jak její inženýrské týmy překonaly jednu z největších překážek při stavbě stále větších čipových pouzder: zajistit, aby zalévací materiál (underfill) spolehlivě zatékal na vzdálenosti, které rostou spolu s velikostí pouzdra. V současnosti je maximální vzdálenost zatékání zalévacího materiálu u technologie EMIB od Intelu přibližně 43 mm a u standardních návrhů 22 mm. Při rozměrech 5 až 10násobku velikosti osvitového pole a více musí materiál urazit mnohem delší vzdálenost a zároveň nesmí vytvářet vzduchové bubliny, které snižují spolehlivost.newsroom.intel+1

Řešení Intelu využívá tři zkoordinované inovace. Za prvé, optimalizovaný zalévací materiál se sníženou viskozitou umožňuje tmelu urazit delší vzdálenosti bez narušení mechanické integrity. Za druhé, přebudovaná vícebodová dávkovací strategie zlepšuje pokrytí a zkracuje efektivní vzdálenost zatékání. Za třetí, vyladěný proces vytvrzování odstraňuje dutiny, čímž vznikají pouzdra bez vad.wccftech

Společnost tento přístup ověřila na několika pouzdrech odpovídajících její architektuře Hyper-Large Form Factor, včetně pouzdra na bázi EMIB přesahujícího 5násobek osvitového pole s 18 čipy a 12 pozicemi pro paměti HBM, a také dlaždicového pouzdra EMIB přesahujícího 7násobek osvitového pole, přičemž v obou případech dosáhla zapouzdření zcela bez dutin. Plán Intelu počítá s pouzdry o rozměrech 240 × 240 mm při 24násobku velikosti osvitového pole, přičemž zapouzdření na úrovni panelu má časem překročit i 50násobek.wccftech

Pohon pro AI v nebývalém měřítku

Závod v Rio Rancho, který v roce 1980 začínal s 25 zaměstnanci, dnes zaměstnává 2 700 lidí a využívá technologie jako 3D vrstvení Foveros, křemíkové můstky EMIB a nejnovější variantu EMIB-T, která přivádí napájení přímo kanály můstku, aby vyhověla nárokům pamětí s vysokou šířkou pásma. Očekává se, že pouzdra v tomto měřítku budou pracovat při příkonu 15 až 25 kilowattů, což vyžaduje modulární chladicí architektury a integrované křemíkové kondenzátory poskytující až 1 millifarad lokální energetické kapacity.newsroom.intel+1

„Někteří zákazníci za námi přicházejí v první řadě kvůli pokročilému zapouzdření,“ uvedla Katie Proutyová, manažerka závodu Fab 9 společnosti Intel. „Když jim zakázku úspěšně doručíme, jejich důvěra v Intel jako smluvního výrobce bude i nadále sílit.“newsroom.intel

Rozšiřování ekosystému

Tento posun v oblasti zapouzdření láká i externí partnery. Společnost Tessolve, která poskytuje služby v oblasti polovodičů, oznámila spolupráci s Intel Foundry na podpoře návrhu pokročilých pouzder založených na technologii EMIB, přičemž již dokončila projekt kompletního návrhu a simulace. Srini Chinamilli, spoluzakladatel a generální ředitel společnosti Tessolve, uvedl, že toto partnerství firmě umožňuje „dále rozšiřovat naši nabídku pro zákazníky Intel Foundry“. Společnost Intel také nedávno oznámila spolupráci se společností Lens Technology na řešeních zapouzdření na bázi skleněných substrátů pro aplikace v oblasti AI a datových center.chiplet-marketplace+3