Samsung bygger verdens første 3D-stablede transistor med en rekordhøy 42 nm-pitch

Samsung Electronics kunngjorde tirsdag at deres Semiconductor Research Center har demonstrert verdens første 3D-stablede felteffekt-transistor (FET) med en gate-pitch på 42 nanometer. Dette gjennombruddet ble presentert ved VLSI Symposium 2026 i Honolulu og vant konferansens pris for beste artikkel.sedaily+2

Bryter horisontale grenser

Artikkelen, med tittelen "First Demonstration of 3D Stacked FETs at Gate Pitch of 42nm Featuring Triple Stacked Nanosheet Channels for Advanced Logic Applications," ble valgt ut som den beste artikkelen blant over 1 000 innsendte bidrag til symposiet, som er en av verdens tre fremste halvlederkonferanser. Forskningen ble ledet av Samsungs Logic TD-team under hovedforfatter Donghoon Hwang.LinkedIn+1

Tradisjonelle logiske brikker forbedrer tettheten ved å krympe den horisontale avstanden mellom transistorer, men etter hvert som dimensjonene nærmer seg fysiske grenser, begynner tynne isolasjonslag å lekke strøm. Samsungs tilnærming stabler N-type og P-type transistorer vertikalt, noe som teoretisk dobler antallet transistorer som får plass på samme areal. Selskapet brukte trippel-stablede nanolag-kanaler for begge enhetstyper på én wafer – det største antallet nanolag som noen gang er demonstrert i en komplementær FET-struktur.sedaily+3

Minste gate-pitch registrert

Gate-pitchen på 42 nanometer overgår den tidligere bransjeminimumen på 48 nanometer. Samsung sa at de løste den kritiske utfordringen med å elektrisk isolere de øvre og nedre transistorene gjennom et mellomliggende dielektrisk lag, og brukte en direkte kobling mellom de stablede enhetene. Selskapet bemerket at konseptet med vertikal stabling allerede er bevist i minnehalvledere gjennom V-NAND flash og minne med høy båndbredde, men dette markerer den første anvendelsen på logiske brikker.뉴스1+2

Veien til kommersialisering

Samsung forventer at teknologien vil tjene neste generasjons logiske halvledere for kunstig intelligens og høyytelsesberegninger, hvor det å få plass til flere transistorer per arealenhet kan forbedre både prosessorkraft og energieffektivitet. Selskapet sa at de planlegger å fortsette forskningen mot kommersialisering, selv om de ikke spesifiserte en tidslinje for volumproduksjon.Maeil Business Newspaper+1

VLSI Symposium 2026 fant sted fra 14. til 18. juni i Honolulu, med presentasjoner fra Samsung, Intel ↘ 5.79% og TSMC Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited ↘ 2.28%, som alle fremmet konkurrerende tilnærminger til 3D-stabling av transistorer.IEEE Spectrum+1