Samsung construye el primer transistor apilado en 3D del mundo con un paso récord de 42 nm

Samsung Electronics anunció el martes que su Centro de Investigación de Semiconductores ha demostrado el primer transistor de efecto de campo apilado en 3D del mundo con un paso de puerta de 42 nanómetros, un avance presentado en el Simposio VLSI 2026 en Honolulu que obtuvo el premio al Mejor Artículo de la conferencia.sedaily+2

Rompiendo los límites horizontales

El artículo, titulado "Primera demostración de FET apilados en 3D con un paso de puerta de 42 nm que presenta canales de nanohojas de triple pila para aplicaciones lógicas avanzadas", fue seleccionado como el mejor artículo entre más de 1.000 presentaciones en el simposio, una de las tres principales conferencias de semiconductores del mundo. La investigación fue dirigida por el equipo de Logic TD de Samsung bajo el autor principal Donghoon Hwang.LinkedIn+1

Los chips lógicos tradicionales mejoran la densidad reduciendo el espacio horizontal entre los transistores, pero a medida que las dimensiones se acercan a los límites físicos, las capas aislantes delgadas comienzan a filtrar corriente. El enfoque de Samsung apila transistores de tipo N y tipo P verticalmente, duplicando teóricamente la cantidad de transistores que pueden caber en la misma área. La compañía empleó canales de nanohojas de triple pila para ambos tipos de dispositivos en una sola oblea, la mayor cantidad de nanohojas jamás demostrada en una estructura FET complementaria.sedaily+3

El paso de puerta más pequeño registrado

El paso de puerta de 42 nanómetros supera el mínimo anterior de la industria de 48 nanómetros. Samsung dijo que resolvió el desafío crítico de aislar eléctricamente los transistores superior e inferior a través de una capa dieléctrica intermedia y aplicó una conexión directa entre los dispositivos apilados. La compañía señaló que el concepto de apilamiento vertical ya se ha probado en semiconductores de memoria a través de V-NAND flash y memoria de gran ancho de banda, pero esto marca su primera aplicación en chips lógicos.뉴스1+2

Camino a la comercialización

Samsung espera que la tecnología sirva para semiconductores lógicos de próxima generación para inteligencia artificial y computación de alto rendimiento, donde colocar más transistores por unidad de área puede mejorar tanto la potencia de procesamiento como la eficiencia energética. La compañía dijo que planea continuar la investigación hacia la comercialización, aunque no especificó un cronograma para la producción en volumen.Maeil Business Newspaper+1

El Simposio VLSI 2026 se llevó a cabo del 14 al 18 de junio en Honolulu, con presentaciones de Samsung, Intel ↘ 4.02% y TSMC Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited ↘ 0.32%, todas avanzando en enfoques competitivos para el apilamiento de transistores en 3D.IEEE Spectrum+1