Samsung-ը կառուցել է աշխարհում առաջին 3D դասավորված տրանզիստորը՝ 42 նմ ռեկորդային քայլով

Samsung Electronics-ը երեքշաբթի օրը հայտարարեց, որ իր Կիսահաղորդիչների հետազոտական կենտրոնը ցուցադրել է աշխարհում առաջին 3D դասավորված դաշտային էֆեկտի տրանզիստորը 42 նանոմետր դարպասի քայլով։ Այս բեկումնային նվաճումը ներկայացվել է Հոնոլուլուում անցկացված VLSI Symposium 2026-ում և արժանացել է համաժողովի լավագույն հոդվածի մրցանակին։sedaily+2

Հորիզոնական սահմանների հաղթահարում

«3D դասավորված FET-ների առաջին ցուցադրությունը 42 նմ դարպասի քայլով՝ եռակի դասավորված նանոթերթային ալիքներով առաջադեմ տրամաբանական կիրառությունների համար» վերնագրով հոդվածը ընտրվել է ավելի քան 1000 հայտերից՝ որպես լավագույնը սիմպոզիումի համար, որը աշխարհի երեք առաջատար կիսահաղորդչային համաժողովներից մեկն է։ Հետազոտությունը ղեկավարել է Samsung-ի Logic TD թիմը՝ գլխավոր հեղինակ Դոնգհուն Հվանգի գլխավորությամբ։LinkedIn+1

Ավանդական տրամաբանական չիպերը բարելավում են խտությունը՝ կրճատելով տրանզիստորների միջև հորիզոնական հեռավորությունը, սակայն երբ չափերը մոտենում են ֆիզիկական սահմաններին, բարակ մեկուսիչ շերտերը սկսում են հոսանքի արտահոսք առաջացնել։ Samsung-ի մոտեցումը N-տիպի և P-տիպի տրանզիստորները դասավորում է ուղղահայաց, ինչը տեսականորեն կրկնապատկում է նույն մակերեսի վրա տեղավորվող տրանզիստորների քանակը։ Ընկերությունը օգտագործել է եռակի դասավորված նանոթերթային ալիքներ երկու տիպի սարքերի համար մեկ վաֆլիի վրա՝ նանոթերթերի ամենամեծ քանակը, որը երբևէ ցուցադրվել է կոմպլեմենտար FET կառուցվածքում։sedaily+3

Ամենափոքր դարպասի քայլը ռեկորդային է

42 նանոմետր դարպասի քայլը գերազանցում է արդյունաբերության նախկին նվազագույնը՝ 48 նանոմետրը։ Samsung-ը հայտարարեց, որ լուծել է վերին և ստորին տրանզիստորների էլեկտրական մեկուսացման կրիտիկական մարտահրավերը միջանկյալ դիէլեկտրիկ շերտի միջոցով և կիրառել է ուղղակի կապ դասավորված սարքերի միջև։ Ընկերությունը նշեց, որ ուղղահայաց դասավորման հայեցակարգը արդեն ապացուցված է հիշողության կիսահաղորդիչներում V-NAND ֆլեշի և բարձր թողունակության հիշողության միջոցով, սակայն սա դրա առաջին կիրառումն է տրամաբանական չիպերում։뉴스1+2

Առևտրայնացման ուղին

Samsung-ը ակնկալում է, որ տեխնոլոգիան կծառայի հաջորդ սերնդի տրամաբանական կիսահաղորդիչներին արհեստական բանականության և բարձր արդյունավետության հաշվարկների համար, որտեղ մեկ միավոր մակերեսի վրա ավելի շատ տրանզիստորներ տեղավորելը կարող է բարելավել ինչպես մշակման հզորությունը, այնպես էլ էներգաարդյունավետությունը։ Ընկերությունը հայտարարեց, որ նախատեսում է շարունակել հետազոտությունները դեպի առևտրայնացում, թեև չի նշել զանգվածային արտադրության ժամկետները։Maeil Business Newspaper+1

VLSI Symposium 2026-ը տեղի է ունեցել հունիսի 14-ից 18-ը Հոնոլուլուում, որտեղ Samsung-ը, Intel ↘ 5.79%-ը և TSMC Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited ↘ 2.28%-ը ներկայացրել են 3D տրանզիստորների դասավորման մրցակցային մոտեցումներ։IEEE Spectrum+1