Samsung, 42nm’lik rekor perde aralığıyla dünyanın ilk 3D yığınlı transistörünü üretti

Samsung Electronics Salı günü yaptığı açıklamada, Yarı İletken Araştırma Merkezi'nin 42 nanometrelik bir kapı aralığında dünyanın ilk 3D Yığınlı Alan Etkili Transistörünü (FET) gösterdiğini duyurdu. Bu atılım, Honolulu'daki VLSI Sempozyumu 2026'da sunuldu ve konferansın En İyi Makale ödülünü kazandı.sedaily+2

Yatay Sınırları Aşmak

"Gelişmiş Mantık Uygulamaları için Üçlü Yığınlı Nano-sayfa Kanallarına Sahip 42nm Kapı Aralığında 3D Yığınlı FET'lerin İlk Gösterimi" başlıklı makale, dünyanın en önemli üç yarı iletken konferansından biri olan sempozyuma yapılan 1.000'den fazla başvuru arasından en iyi makale olarak seçildi. Araştırma, baş yazar Donghoon Hwang liderliğindeki Samsung'un Logic TD Ekibi tarafından yürütüldü.LinkedIn+1

Geleneksel mantık çipleri, transistörler arasındaki yatay mesafeyi daraltarak yoğunluğu artırır, ancak boyutlar fiziksel sınırlara yaklaştıkça ince yalıtım katmanları akım sızdırmaya başlar. Samsung'un yaklaşımı, N-tipi ve P-tipi transistörleri dikey olarak istifleyerek aynı alana sığabilecek transistör sayısını teorik olarak ikiye katlıyor. Şirket, her iki cihaz türü için tek bir wafer üzerinde üçlü yığınlı nano-sayfa kanalları kullandı; bu, tamamlayıcı bir FET yapısında şimdiye kadar gösterilen en yüksek nano-sayfa sayısıdır.sedaily+3

Kayıtlardaki En Küçük Kapı Aralığı

42 nanometrelik kapı aralığı, önceki endüstri minimumu olan 48 nanometreyi geride bırakıyor. Samsung, üst ve alt transistörleri ara bir dielektrik katman aracılığıyla elektriksel olarak izole etme konusundaki kritik zorluğu çözdüğünü ve yığınlı cihazlar arasında doğrudan bir bağlantı uyguladığını belirtti. Şirket, dikey istifleme kavramının V-NAND flash ve yüksek bant genişlikli bellek aracılığıyla bellek yarı iletkenlerinde zaten kanıtlandığını, ancak bunun mantık çiplerindeki ilk uygulaması olduğunu kaydetti.뉴스1+2

Ticarileştirme Yolu

Samsung, teknolojinin yapay zeka ve yüksek performanslı bilgi işlem için yeni nesil mantık yarı iletkenlerine hizmet etmesini bekliyor; burada birim alan başına daha fazla transistör sığdırmak hem işlem gücünü hem de enerji verimliliğini artırabilir. Şirket, ticarileştirmeye yönelik araştırmalara devam etmeyi planladığını belirtti, ancak seri üretim için bir zaman çizelgesi vermedi.Maeil Business Newspaper+1

VLSI Sempozyumu 2026, 14-18 Haziran tarihleri arasında Honolulu'da gerçekleştirildi ve Samsung, Intel ↗ 1.72% ve TSMC Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited ↗ 1.49% tarafından yapılan sunumlarla 3D transistör istifleme konusunda rakip yaklaşımlar sergilendi.IEEE Spectrum+1