Samsung-მა შექმნა მსოფლიოში პირველი 3D დაწყობილი ტრანზისტორი რეკორდული 42 ნმ ბიჯით

Samsung Electronics-მა სამშაბათს განაცხადა, რომ მისმა ნახევარგამტარების კვლევითმა ცენტრმა წარმოადგინა მსოფლიოში პირველი 3D დაწყობილი ველის ეფექტის ტრანზისტორი 42 ნანომეტრიანი კარიბჭის ბიჯით. ეს მიღწევა წარდგენილი იქნა ჰონოლულუში გამართულ VLSI Symposium 2026-ზე და დაიმსახურა კონფერენციის საუკეთესო ნაშრომის ჯილდო.sedaily+2

ჰორიზონტალური საზღვრების გარღვევა

ნაშრომი, სახელწოდებით "3D დაწყობილი FET-ების პირველი დემონსტრირება 42 ნმ კარიბჭის ბიჯით, სამმაგი დაწყობილი ნანოფურცლის არხებით მოწინავე ლოგიკური აპლიკაციებისთვის", შეირჩა 1000-ზე მეტი განაცხადიდან, როგორც საუკეთესო ნაშრომი სიმპოზიუმისთვის, რომელიც მსოფლიოს სამ წამყვან ნახევარგამტარულ კონფერენციას შორისაა. კვლევას ხელმძღვანელობდა Samsung-ის Logic TD გუნდი, წამყვანი ავტორის დონგჰუნ ჰვანგის ხელმძღვანელობით.LinkedIn+1

ტრადიციული ლოგიკური ჩიპები აუმჯობესებენ სიმკვრივეს ტრანზისტორებს შორის ჰორიზონტალური მანძილის შემცირებით, მაგრამ როდესაც ზომები უახლოვდება ფიზიკურ ზღვარს, თხელი საიზოლაციო ფენები იწყებენ დენის გაჟონვას. Samsung-ის მიდგომა აწყობს N-ტიპის და P-ტიპის ტრანზისტორებს ვერტიკალურად, რაც თეორიულად აორმაგებს იმ ტრანზისტორების რაოდენობას, რომლებიც შეიძლება მოთავსდეს იმავე ფართობზე. კომპანიამ გამოიყენა სამმაგი დაწყობილი ნანოფურცლის არხები ორივე ტიპის მოწყობილობისთვის ერთ ვაფერზე — ეს არის ნანოფურცლების ყველაზე დიდი რაოდენობა, რაც კი ოდესმე ყოფილა დემონსტრირებული კომპლემენტარულ FET სტრუქტურაში.sedaily+3

ყველაზე პატარა კარიბჭის ბიჯი რეკორდულად

42 ნანომეტრიანი კარიბჭის ბიჯი აღემატება ინდუსტრიის წინა მინიმუმს, 48 ნანომეტრს. Samsung-მა განაცხადა, რომ მათ გადაჭრეს ზედა და ქვედა ტრანზისტორების ელექტრული იზოლაციის კრიტიკული გამოწვევა შუალედური დიელექტრიკული ფენის მეშვეობით და გამოიყენეს პირდაპირი კავშირი დაწყობილ მოწყობილობებს შორის. კომპანიამ აღნიშნა, რომ ვერტიკალური დაწყობის კონცეფცია უკვე დამტკიცებულია მეხსიერების ნახევარგამტარებში V-NAND ფლეშისა და მაღალი გამტარუნარიანობის მეხსიერების მეშვეობით, მაგრამ ეს არის მისი პირველი გამოყენება ლოგიკურ ჩიპებში.뉴스1+2

კომერციალიზაციის გზა

Samsung მოელის, რომ ტექნოლოგია მოემსახურება შემდეგი თაობის ლოგიკურ ნახევარგამტარებს ხელოვნური ინტელექტისა და მაღალი წარმადობის გამოთვლებისთვის, სადაც ერთეულ ფართობზე მეტი ტრანზისტორის განთავსებამ შეიძლება გააუმჯობესოს როგორც დამუშავების სიმძლავრე, ისე ენერგოეფექტურობა. კომპანიამ განაცხადა, რომ გეგმავს კვლევის გაგრძელებას კომერციალიზაციისკენ, თუმცა არ დაუკონკრეტებია მასობრივი წარმოების ვადები.Maeil Business Newspaper+1

VLSI Symposium 2026 ჩატარდა 14-დან 18 ივნისამდე ჰონოლულუში, სადაც Samsung-მა, Intel ↘ 5.79%-მა და TSMC Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited ↘ 2.28%-მა წარმოადგინეს 3D ტრანზისტორების დაწყობის კონკურენტული მიდგომები.IEEE Spectrum+1