didelio pralaidumo atmintis

Nvidia pristatė NVHBM specialią atmintį dirbtinio intelekto lustams

Trečiadienį „Nvidia“ pristatė NVHBM – specialią didelio pralaidumo atminties technologiją, kuri žada 30% didesnį pralaidumą ir 15% mažesnes energijos sąnaudas nei standartinė HBM4E atmintis, taip išplėsdama „NVLink Fusion“ platformą partneriams, kuriantiems specializuotus DI lustus.

„SK Hynix“ tapo „Intel“ pakuočių kliente DI atminties lustams

„Intel“ Foundry prisiviliojo „SK Hynix“ kaip klientę savo pažangiai pakavimo technologijai „Embedded Multi-die Interconnect Bridge“ (EMIB). Tai svarbus etapas „Intel“ siekiant tapti pagrindine pakuočių tiekėja dirbtinio intelekto lustų pramonėje.

„Nvidia“ gerokai sumažino „Rubin Ultra“ atmintį, sukeldama sumaištį HBM rinkoje

„Nvidia“ dar labiau sumažino savo pavyzdinio dirbtinio intelekto spartintuvo „Rubin Ultra“ atminties specifikacijas, teigiama savaitgalį pasirodžiusioje puslaidininkių tyrimų bendrovės „SemiAnalysis“ ataskaitoje. Šie pakeitimai rodo įmonės pastangas suvaldyti sparčiai augančias didelio pralaidumo atminties išlaidas ir kartu nukreipti mikroschemos vertės pasiūlymą į…

„Samsung“ ir „SK Hynix“ sudarė 950 mlrd. dolerių vertės sandorius su JAV įmonėmis

Bendrovė „Samsung Electronics“ ir „Broadcom“ penktadienį paskelbė apie plataus masto susitarimo memorandumą, apimantį daugiau nei 200 mlrd. JAV dolerių vertės bendradarbiavimą atminties mikroschemų, užsakomosios mikroschemų gamybos ir pažangaus pakavimo srityse iki 2030 metų, pranešė bendrovės „Reuters“ cituojamame pareiškime.

AMD baigia derinti įsipareigojančią HBM4 tiekimo sutartį su „Samsung“

„AMD Advanced Micro Devices, Inc.“ vadovė Lisa Su pareiškė, kad bendrovė yra „jau beveik pasirengusi“ pasirašyti oficialią didelio masto HBM4 tiekimo sutartį su „Samsung Electronics“. Taip siekiama kovo mėnesį pasirašytą preliminarų susitarimą paversti įsipareigojančia sutartimi, augant mikroschemų gamintojos dirbtinio intelekto…

„Micron“ pradėjo 9 mlrd. JAV dolerių vertės Hirošimos plėtros projektą, skirtą DI atminties lustams

„Micron Technology“ šeštadienį pradėjo 1,5 trln. jenų (9,3 mlrd. JAV dolerių) vertės savo puslaidininkių gamyklos plėtrą Higašihirošimoje, Japonijoje. Tai viena didžiausių vienkartinių investicijų į atminties lustų gamybą, bendrovei siekiant mesti iššūkį „SK Hynix“ sparčiai augančioje DI atminties rinkoje.

„Samsung“ pusę HBM gamybos perkelia į HBM4 lustus

„Samsung Electronics“ skyrė maždaug pusę savo didelės spartos atminties gamybos pajėgumų šeštosios kartos HBM4 lustams – tai žingsnis, skirtas pasinaudoti sparčiai augančia dirbtinio intelekto atminties paklausa ir sumažinti atsilikimą nuo konkurentės „SK Hynix“.