Newsletter Subscribe
Enter your email address below and subscribe to our newsletter
[forminator_form id="25163"]

stocktitan+1cnbccnbcIntel meddelade på tisdagen vid 2026 VLSI Symposium i Honolulu att deras 18A-P-processnod har gått in i riskproduktion enligt plan, vilket markerar en milstolpe i chiptillverkarens ansträngningar att bygga upp sin kontraktstillverkningsverksamhet och locka externa kunder.stocktitan+1
18A-P är den första prestandaförbättrade varianten i Intel 18A-familjen, som använder RibbonFET gate-all-around-transistorer och PowerVia-strömförsörjning från baksidan. Enligt Intel levererar noden 9 % högre prestanda vid samma effektnivå, eller 18 % lägre strömförbrukning vid motsvarande prestanda, jämfört med standard 18A-processen.moneycontrol+1
Intel introducerade också Power Boost, ett alternativ med dubbel kontakt och lågt motstånd för transistorer, utformat för att öka drivströmmen och möjliggöra högre driftsfrekvenser. Företaget rapporterade förbättringar i termiskt motstånd på 20 % till 40 % genom material- och designinnovationer, tillsammans med 10 % till 30 % bättre genomföringsmotstånd. Noden är fullt kompatibel med Intel 18A-designregler, vilket gör att kunder kan återanvända befintlig immateriell egendom och designflöden utan modifieringar.stocktitan+2
Milstolpen nås samtidigt som Intel arbetar för att landa åtaganden från stora chipdesigners för sin gjuteriverksamhet. VD Lip-Bu Tan sa i maj att Intel förväntar sig åtaganden från flera gjuterikunder under andra halvåret 2026.cnbc
Den mest bevakade potentiella affären involverar Apple . Enligt en rapport från maj från The Wall Street Journal, citerad av CNBC, har Apple och Intel nått en preliminär överenskommelse om att Intel ska tillverka vissa chip för Apple-enheter med hjälp av 18A-processfamiljen. Analytikern Ming-Chi Kuo har förutspått att Apple skulle kunna använda Intel Foundry för M-serie-chip på ingångsnivå, med leveranser som potentiellt startar 2027.finance.yahoo+1
Utöver 18A-P presenterade Intel forskning vid symposiet om teknologier inriktade på framtida skalning, inklusive monolitiska CFET-växelriktare med vertikalt staplade enheter med en 45nm gate-pitch, 300mm integrering av galliumnitrid-strömenheter med kisel-logik, och subtraktiva rutenium-förbindelser med luftgap-integrering som uppnådde ungefär 35 % kapacitansreduktion jämfört med koppar.stocktitan