„Intel“ 18A-P lustų gamybos procesas pradėtas bandomojoje gamyboje pagal grafiką

„Intel“ ↘ 2.22% antradienį VLSI simpoziume Honolulu pranešė, kad jos 18A-P proceso mazgas pradėtas bandomojoje gamyboje pagal grafiką. Tai svarbus žingsnis lustų gamintojui, siekiančiam atkurti savo sutartinės gamybos verslą ir pritraukti išorės klientų.stocktitan+1

Spartesnis ir vėsesnis lustų mazgas

18A-P yra pirmasis našumą didinantis „Intel 18A“ šeimos variantas, kuriame naudojami „RibbonFET“ tranzistoriai su visomis pusėmis apgaubtais vartais (GAA) ir „PowerVia“ galinio maitinimo technologija. „Intel“ teigimu, šis mazgas užtikrina 9 % didesnį našumą esant tam pačiam energijos suvartojimui arba 18 % mažesnes energijos sąnaudas esant tokiam pačiam našumui, palyginti su standartiniu 18A procesu.moneycontrol+1

„Intel“ taip pat pristatė „Power Boost“ – dvigubo kontakto, mažos varžos tranzistorių parinktį, skirtą padidinti srovę ir užtikrinti aukštesnius veikimo dažnius. Bendrovė pranešė apie 20–40 % pagerėjusį šiluminį atsparumą dėl medžiagų ir dizaino naujovių, taip pat 10–30 % geresnę pereinamųjų angų varžą. Mazgas yra visiškai suderinamas su „Intel 18A“ projektavimo taisyklėmis, todėl klientai gali pakartotinai naudoti esamą intelektinę nuosavybę ir projektavimo eigą be pakeitimų.stocktitan+2

Išorės liejyklų klientų viliojimas

Šis etapas pasiektas „Intel“ stengiantis gauti didžiųjų lustų projektuotojų įsipareigojimus savo liejyklų verslui. Generalinis direktorius Lip-Bu Tan gegužę sakė, kad „Intel“ tikisi įsipareigojimų iš kelių liejyklų klientų 2026 m. antrąjį pusmetį.cnbc

Labiausiai stebimas potencialus sandoris yra susijęs su „Apple“ ↘ 1.11%. Remiantis gegužės mėn. „The Wall Street Journal“ ataskaita, kurią citavo CNBC, „Apple“ ir „Intel“ pasiekė preliminarų susitarimą, kad „Intel“ gamins tam tikrus lustus „Apple“ įrenginiams, naudodama 18A procesų šeimą. Analitikas Ming-Chi Kuo prognozavo, kad „Apple“ galėtų naudoti „Intel Foundry“ pradinio lygio M serijos lustams, o siuntos galėtų prasidėti 2027 m.finance.yahoo+1

Ilgalaikės investicijos į mokslinius tyrimus

Be 18A-P, „Intel“ simpoziume pristatė tyrimus, skirtus ateities technologijoms, įskaitant monolitinius CFET keitiklius su vertikaliai išdėstytais įrenginiais 45 nm vartų žingsniu, 300 mm galio nitrido galios įrenginių integravimą su silicio logika ir atimamuosius rutenio tarpusavio sujungimus su oro tarpo integracija, kurie pasiekė maždaug 35 % talpos sumažėjimą, palyginti su variu.stocktitan