Intels 18A-P-brikkeprosess går inn i risikoproduksjon etter planen

Intel ↘ 1.19% kunngjorde tirsdag på 2026 VLSI Symposium i Honolulu at deres 18A-P-prosessnode har gått inn i risikoproduksjon etter planen, noe som markerer en milepæl i brikkeprodusentens innsats for å gjenoppbygge sin kontraktsproduksjonsvirksomhet og tiltrekke seg eksterne kunder.stocktitan+1

En raskere og kjøligere brikkenode

18A-P er den første ytelsesforbedrede varianten i Intel 18A-familien, som bruker RibbonFET gate-all-around-transistorer og PowerVia-strømforsyning fra baksiden. Ifølge Intel leverer noden 9 % høyere ytelse ved samme strømnivå, eller 18 % lavere strømforbruk ved tilsvarende ytelse, sammenlignet med standard 18A-prosess.moneycontrol+1

Intel introduserte også Power Boost, et alternativ med dobbel kontakt og lav motstand for transistorer, designet for å øke drivstrømmen og muliggjøre høyere driftsfrekvenser. Selskapet rapporterte forbedringer i termisk motstand på 20 % til 40 % gjennom material- og designinnovasjoner, sammen med 10 % til 30 % bedre gjennomføringsmotstand. Noden er fullt kompatibel med Intel 18A-designregler, noe som lar kunder gjenbruke eksisterende åndsverk og designflyter uten modifikasjoner.stocktitan+2

Frieri til eksterne støperiklienter

Milepælen kommer mens Intel jobber med å lande forpliktelser fra store brikkedesignere for sin støperivirksomhet. Administrerende direktør Lip-Bu Tan sa i mai at Intel forventer forpliktelser fra flere støperikunder i andre halvdel av 2026.cnbc

Den mest omtalte potensielle avtalen involverer Apple ↘ 1.52%. Ifølge en rapport fra mai fra The Wall Street Journal, sitert av CNBC, har Apple og Intel inngått en foreløpig avtale om at Intel skal produsere visse brikker for Apple-enheter ved bruk av 18A-prosessfamilien. Analytiker Ming-Chi Kuo har spådd at Apple kan bruke Intel Foundry for M-serie-brikker på inngangsnivå, med leveranser som potensielt starter i 2027.finance.yahoo+1

Langsiktige forskningssatsinger

Utover 18A-P presenterte Intel forskning på symposiet om teknologier rettet mot fremtidig skalering, inkludert monolittiske CFET-invertere med vertikalt stablede enheter med en 45nm gate-pitch, 300mm integrasjon av galliumnitrid-strømenheter med silisiumlogikk, og subtraktive rutenium-forbindelser med luftgap-integrasjon som oppnådde omtrent 35 % kapasitansreduksjon sammenlignet med kobber.stocktitan