Newsletter Subscribe
Enter your email address below and subscribe to our newsletter
[forminator_form id="25163"]

koreaherald+1koreaherald+1koreajoongangdaily+1Antradienį „SK Hynix“ ir „Sandisk“ pristatė pirmąsias pramonėje didelės spartos „Flash“ atminties (angl. High Bandwidth Flash, HBF) standartines specifikacijas. Ši naujos kartos atminties technologija yra skirta sumažinti pralaidumo ribojimus dirbtinio intelekto (DI) išvadų sistemose, užpildant spragą tarp didelės spartos atminties (HBM) ir kietųjų diskų (SSD).
Specifikacija, pristatyta Kalifornijos Santa Klaros mieste vykusioje konferencijoje „Future of Memory and Storage 2026“, buvo paskelbta per „Open Compute Project“ kaip atviras pramonės standartas, praėjus vos šešiems mėnesiams po to, kai abi bendrovės vasario mėnesį įkūrė HBF konsorciumą.koreaherald+1
HBF pritaiko vertikalaus sluoksniavimo ir pažangaus pakavimo metodus, naudojamus HBM gamyboje, NAND „Flash“ atminties technologijai. Tai leidžia pasiekti pralaidumą, artimą DRAM pagrindu veikiančiai HBM, kartu pasiūlant kelis kartus didesnę talpą už mažesnę vieno bito kainą. Specifikacijoje apibrėžiamos dvi sluoksniavimo konfigūracijos, naudojant 8 arba 16 NAND kristalų, palaikančios iki 512 gigabaitų talpą. Pralaidumas yra suskirstytas į tris našumo klases: nuo maždaug 0.4 terabaito per sekundę iki 3.0 TB/s.koreajoongangdaily+2
Standarte kaip jungtis naudojama „Universal Chiplet Interconnect Express“ technologija, leidžianti HBF įrenginiams jungtis prie įvairių gamintojų vaizdo plokščių (GPU) ir procesorių (CPU), užuot pasikliovus patentuotomis sąsajomis. Specifikacija taip pat apima elektrines charakteristikas, pakavimo ir patikimumo gaires bei programinės įrangos įvesties ir išvesties reikalavimus.businesswire+2
Prie konsorciumo prisijungė „Google“ patronuojančioji bendrovė „Alphabet Inc.“ ir DI lustų startuolis „Tenstorrent“, o tai suteikia šiai iniciatyvai didelio masto patikimumo jau nuo pat ankstyvųjų etapų. Ketvirtadienį FMS konferencijoje numatytoje diskusijoje dalyvaus „SK Hynix“, „Sandisk“ ir „Google DeepMind“ vadovai, kurie aptars, kaip HBF gali padėti įveikti inžinierių vadinamąją „atminties sieną“.koreatimes+3
„Sparčiai plintant DI taikomosioms programoms, pasiekėme tašką, kai turi būti pertvarkytos bendros duomenų apdorojimo struktūros“, – teigė „SK Hynix“ vykdomasis viceprezidentas Kim Chun-sungas. „Naudodama HBF, „SK Hynix“ išplės ribas tarp atminties ir saugyklos bei prisidės prie naujų architektūrų, didinančių bendrą sistemos efektyvumą, kūrimo“.koreajoongangdaily+1
„Sandisk“ vyriausiasis technologijų pareigūnas Alperis Ilkbaharas specifikaciją pavadino „svarbiu gairiu HBF ekosistemai ir naujos kartos DI sistemoms, skirtoms pagerinti žetonų (angl. token) ekonomiją dideliu mastu“.businesswire
Tikimasi, kad HBF atminties pavyzdžiai pasirodys 2026 m. antrąjį pusmetį, o pirmieji šia technologija pagrįsti išvadų įrenginiai laukiami apie 2027 m. pradžią. „SK Hynix“ FMS parodoje atskirai demonstravo savo dešimtosios kartos 375 sluoksnių 4D NAND atmintį, kuri užtikrina 2.5 karto didesnį našumą vienam vatui nei jos pirmtakė. Šia technologija pagrįstų įmonių SSD masinę gamybą planuojama pradėti kitų metų pradžioje.sdxcentral+3
Ne visi pramonės dalyviai juda tuo pačiu tempu. „Samsung“ kuria savo HBF sprendimus, tačiau tikisi, kad komercializacija užtruks ilgiau, o „Nvidia“ pasirinko lygiagretų kelią su savo „Inference Context Memory Storage“ technologija, kuri jau įdiegta „Vera Rubin“ platformoje. Po šio pranešimo antradienio prekyboje pakilo tiek „SK Hynix“, tiek „Sandisk“ akcijų kainos.seekingalpha+2