Newsletter Subscribe
Enter your email address below and subscribe to our newsletter
[forminator_form id="25163"]

TSMC Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited bygger upp momentum för sin nästa generations A14 1,4-nanometer tillverkningsprocess, med ett starkt kundintresse långt innan volymproduktionen inleds 2028. Företaget avslöjade under sin rapport för andra kvartalet 2026 att kundernas designprojekt ligger före tidsplanen…

Forskare vid University of South Carolina har utvecklat en nanopartikelbaserad terapi som vänt kognitiv försämring hos möss med Alzheimers sjukdom genom att omvandla hjärnans stödjeceller till fungerande neuroner. Metoden undviker permanenta genetiska modifieringar och kan bana väg för regenerativa behandlingar…

"Einstein"-hatt-plattan, en matematisk kuriositet som löste en decennier gammal gåta om att täcka oändliga ytor utan repeterande mönster, har nu gett en överraskning inom fysikens värld. Forskare vid University of Tokyo har upptäckt att nanoskala-strukturer baserade på plattan producerar hittills…

TSMC Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited har nått en produktionsmilstolpe vid sin 2-nanometernod, där en anläggning redan uppnått en månatlig produktion på 20 000 wafers samtidigt som företaget accelererar sin mest aggressiva kapacitetsutbyggnad någonsin.

Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. använde torsdagens rapportpresentation för andra kvartalet 2026 till att ge en optimistisk bild av sin färdplan för nästa generations chiptillverkning. Företaget bekräftade att deras A14-process (1,4 nm-klassen) löper smidigt mot riskproduktion 2027 och massproduktion 2028.

Samsung Electronics meddelade på tisdagen att deras Semiconductor Research Center har demonstrerat världens första 3D-staplade fälteffekttransistor (FET) med en gate-pitch på 42 nanometer. Detta genombrott presenterades vid VLSI Symposium 2026 i Honolulu och vann konferensens pris för bästa bidrag.

ASML, TSMC Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited och det belgiska forskningscentret Imec har gemensamt demonstrerat ett produktionskompatibelt integrationsflöde för transistorer byggda med tvådimensionella material på industristandard 300mm-skivor, och uppnått kontaktavstånd så små som 50 nanometer. Resultaten, som presenterades vid 2026…