nanotechnologijos

TSMC: didelė A14 lustų paklausa dar prieš 2028 metus

„TSMC Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited“ sparčiai ruošiasi savo naujos kartos A14 1,4 nanometro lustų gamybos procesui, o didelis klientų susidomėjimas jaučiamas gerokai prieš pradedant masinę gamybą 2028 metais. Bendrovė per 2026 m. antrojo ketvirčio rezultatų pristatymą atskleidė, kad klientų…

Nanodalelės atkuria pelių atmintį sergant Alzheimerio liga

Pietų Karolinos universiteto mokslininkai sukūrė nanodalelėmis pagrįstą terapiją, kuri atstatė kognityvinius gebėjimus pelėms, sergančioms Alzheimerio liga, paversdama smegenų pagalbines ląsteles veikiančiais neuronais. Tai metodas, leidžiantis išvengti nuolatinių genetinių modifikacijų ir galintis atverti kelią regeneraciniam gydymui nuo dažniausiai pasitaikančios demencijos formos.

Garsioji „einstein“ plytelė nustebino fizikus

„Einstein“ skrybėlės formos plytelė, matematinė įdomybė, išsprendusi dešimtmečius trukusį galvosūkį apie begalinių paviršių padengimą be pasikartojančių raštų, dabar pateikė staigmeną fizikos pasauliui. Tokijo universiteto mokslininkai atrado, kad nanostruktūros, pagrįstos šia plytele, sukuria iki šiol nematytą chiralinę šviesos difrakciją, atverdamos naują…

TSMC pasiekė 20 000 plokštelių per mėnesį ribą 2 nm gamykloje

„TSMC Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited“ pasiekė svarbų gamybos etapą savo 2 nanometrų technologijos procese: viena gamykla jau pasiekė 20 000 plokštelių per mėnesį produkciją, bendrovei vykdant sparčiausią pajėgumų plėtrą savo istorijoje.

TSMC: 1,4 nm lustų gamybos procesas bus paruoštas 2028 metais

„Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.“ per ketvirtadienį vykusią 2026 m. antrojo ketvirčio finansinių rezultatų konferenciją pateikė optimistinį vertinimą dėl savo naujos kartos lustų gamybos plano, patvirtindama, kad A14 (1,4 nm klasės) procesas sklandžiai juda link bandomosios gamybos 2027 metais ir masinės…

„Samsung“ sukūrė pirmąjį pasaulyje 3D sluoksniuotą tranzistorių su rekordiniu 42 nm žingsniu

„Samsung Electronics“ antradienį paskelbė, kad jos Puslaidininkių tyrimų centras pademonstravo pirmąjį pasaulyje 3D sluoksniuotą lauko tranzistorių (FET), kurio vartų žingsnis yra 42 nanometrai. Šis proveržis, pristatytas 2026 m. VLSI simpoziume Honolulu, pelnė konferencijos geriausio pranešimo apdovanojimą.

„ASML“, „TSMC“ ir „imec“ sukūrė 2D tranzistorius ant 300 mm plokštelių

„ASML“, „TSMC Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited“ ir Belgijos tyrimų centras „Imec“ bendrai pademonstravo gamybai pritaikytą integracijos procesą tranzistoriams, pagamintiems iš dvimačių medžiagų ant pramonės standarto 300 mm plokštelių, pasiekiant 50 nanometrų kontaktų žingsnį. Rezultatai, pristatyti 2026 m. VLSI technologijų…