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theinformation+1reutersinvesting+1ChangXin Memory Technologies, le plus grand fabricant national de DRAM en Chine, a commencé à produire des puces mémoire HBM3E en petites quantités, selon un rapport de The Information publié lundi. Cette étape place l'entreprise à seulement une génération derrière les principaux fabricants de mémoire mondiaux et marque une avancée stratégique dans la volonté de Pékin d'atteindre l'autosuffisance en semi-conducteurs face aux contrôles à l'exportation américains.theinformation
La HBM3E est un type avancé de mémoire à large bande passante essentiel aux chipsets d'IA, servant de lien critique entre les processeurs et les flux de données massifs requis pour l'entraînement de grands modèles. Selon Reuters, citant le rapport de The Information, plusieurs concepteurs de puces chinois, dont l'unité T-Head du groupe Alibaba et Cambricon Technologies basé à Pékin, testent déjà le silicium HBM3E de CXMT avec leurs processeurs. Ces entreprises prévoient d'intégrer cette mémoire dans des produits commerciaux dès l'année prochaine, CXMT visant une expansion plus large de la production en 2027.reuters+1
Ce développement est notable car la mémoire à large bande passante constitue un goulot d'étranglement dans l'infrastructure mondiale de l'IA. Jusqu'à présent, le marché de la HBM fonctionnait comme un oligopôle à trois acteurs entre SK Hynix , Samsung Electronics et Micron Technology , qui livrent tous déjà de la HBM3E en volume ou se tournent vers l'architecture HBM4 de nouvelle génération.cryptobriefing
Malgré les progrès techniques, CXMT fait face à des obstacles majeurs. La technologie HBM globale de l'entreprise est estimée à trois à cinq ans derrière ses rivaux mondiaux dominants, selon le rapport de The Information. Les rendements de fabrication restent faibles et les sanctions commerciales occidentales continuent de bloquer l'accès aux équipements de lithographie ultraviolette extrême fabriqués par ASML , forçant CXMT à s'appuyer sur des outils ultraviolets profonds plus anciens qui limitent la densité et l'efficacité énergétique des puces.investing+1
Comme l'a noté Newsquawk, la qualification par le client, et non la production initiale, marque historiquement la viabilité commerciale dans les semi-conducteurs, et l'écart entre la première production et une part de marché significative a tendance à être long.newsquawk
Cette étape de production intervient quelques semaines après les débuts historiques de CXMT sur le marché STAR de Shanghai, où l'entreprise a levé environ 8,6 milliards de dollars lors de l'une des plus grandes introductions en bourse de Chine. Les actions ont bondi d'environ 470% lors de leur premier jour de cotation. Pour le premier semestre 2026, CXMT a déclaré un chiffre d'affaires de 150,3 milliards de yuans, soit une multiplication par près de dix sur un an, avec un bénéfice net de 77,6 milliards de yuans, un revirement spectaculaire par rapport aux pertes de l'année précédente. Ces gains ont été largement tirés par les prix élevés de la DRAM et les contraintes d'approvisionnement liées à l'IA plutôt que par les revenus de la HBM spécifiquement.investing+1
Fondée en 2016 avec le soutien du gouvernement local, CXMT est devenue le quatrième plus grand fabricant mondial de DRAM standard. Sa capacité à transformer la production initiale de HBM3E en un quatrième concurrent commercialement viable sur le marché de la mémoire à large bande passante dépendra de sa capacité à combler l'écart de rendement et de technologie, tout en naviguant dans un paysage de contrôle des exportations conçu pour empêcher précisément ce résultat.