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theinformation+1reutersinvesting+1ChangXin Memory Technologies, Chinas größter heimischer DRAM-Hersteller, hat laut einem am Montag veröffentlichten Bericht von The Information mit der Produktion von HBM3E-Speicherchips in kleinen Mengen begonnen. Dieser Meilenstein bringt das Unternehmen nur eine Generation hinter die weltweit führenden Speicherhersteller und markiert einen strategischen Fortschritt in Pekings Bestreben nach Halbleiter-Autarkie inmitten von US-Exportkontrollen.theinformation
HBM3E ist eine fortschrittliche Art von Speicher mit hoher Bandbreite, der für KI-Chipsätze unerlässlich ist und als kritisches Bindeglied zwischen Prozessoren und den massiven Datenströmen dient, die für das Training großer Modelle erforderlich sind. Laut Reuters, das sich auf den Bericht von The Information beruft, testen mehrere chinesische Chipdesigner – darunter die T-Head-Einheit der Alibaba Group und das in Peking ansässige Unternehmen Cambricon Technologies – bereits das HBM3E-Silizium von CXMT mit ihren Prozessoren. Diese Unternehmen planen, den Speicher bereits im nächsten Jahr in kommerzielle Produkte zu integrieren, wobei CXMT eine breitere Produktionsausweitung für 2027 anstrebt.reuters+1
Die Entwicklung ist bemerkenswert, da Speicher mit hoher Bandbreite ein Engpass in der globalen KI-Infrastruktur darstellt. Bisher wurde der HBM-Markt als Oligopol von drei Akteuren beherrscht: SK Hynix , Samsung Electronics und Micron Technology , die alle bereits HBM3E in großem Umfang ausliefern oder auf die nächste HBM4-Architektur umstellen.cryptobriefing
Trotz der technischen Fortschritte steht CXMT vor großen Hürden. Die gesamte HBM-Technologie des Unternehmens liegt laut dem Bericht von The Information schätzungsweise drei bis fünf Jahre hinter den dominierenden globalen Konkurrenten zurück. Die Produktionsausbeute bleibt gering, und westliche Handelssanktionen blockieren weiterhin den Zugang zu Anlagen für extreme ultraviolette Lithografie von ASML , was CXMT dazu zwingt, auf ältere DUV-Werkzeuge (Deep Ultraviolet) zurückzugreifen, die die Chipdichte und Energieeffizienz einschränken.investing+1
Wie Newsquawk anmerkte, markiert historisch gesehen die Kundenqualifizierung – nicht die erste Produktion – die kommerzielle Lebensfähigkeit bei Halbleitern, und die Lücke zwischen dem ersten Output und einem nennenswerten Marktanteil ist in der Regel groß.newsquawk
Der Produktionsmeilenstein kommt Wochen nach dem wegweisenden Debüt von CXMT am Shanghai STAR Market, bei dem das Unternehmen rund 8,6 Milliarden Dollar in einem der größten Börsengänge Chinas einsammelte. Die Aktien stiegen am ersten Handelstag um etwa 470 Prozent. Für das erste Halbjahr 2026 meldete CXMT einen Umsatz von 150,3 Milliarden Yuan, eine fast zehnfache Steigerung gegenüber dem Vorjahr, bei einem Nettogewinn von 77,6 Milliarden Yuan – eine dramatische Umkehrung gegenüber den Verlusten ein Jahr zuvor. Diese Gewinne wurden größtenteils durch starke DRAM-Preise und KI-bezogene Lieferengpässe getrieben und nicht spezifisch durch HBM-Einnahmen.investing+1
CXMT wurde 2016 mit Unterstützung der lokalen Regierung gegründet und hat sich zum viertgrößten Standard-DRAM-Hersteller der Welt entwickelt. Ob das Unternehmen die HBM3E-Produktion im Frühstadium in einen kommerziell tragfähigen vierten Wettbewerber auf dem Markt für Speicher mit hoher Bandbreite umwandeln kann, hängt davon ab, ob die Ausbeute- und Technologielücke geschlossen werden kann – während man gleichzeitig in einer Landschaft von Exportkontrollen navigiert, die genau dieses Ergebnis verhindern soll.