HBM3E

Kinijos CXMT pradėjo gaminti pažangias dirbtinio intelekto atminties mikroschemas

„ChangXin Memory Technologies“, didžiausia Kinijos DRAM gamintoja, pradėjo nedideliais kiekiais gaminti HBM3E atminties mikroschemas, teigiama pirmadienį paskelbtoje „The Information“ ataskaitoje. Šis pasiekimas reiškia, kad įmonė atsilieka tik viena karta nuo pirmaujančių pasaulio atminties gamintojų ir žymi strateginį Pekino žingsnį siekiant…