HBM3E

Kiinalainen CXMT aloittaa kehittyneiden tekoälymuistisirujen tuotannon

Kiinan suurin kotimainen DRAM-valmistaja ChangXin Memory Technologies on aloittanut HBM3E-muistisirujen tuotannon pienissä määrissä, kertoo maanantaina julkaistu The Information -raportti. Virstanpylväs asettaa yrityksen vain yhden sukupolven päähän maailman johtavista muistivalmistajista ja merkitsee strategista edistysaskelta Pekingin pyrkimyksissä saavuttaa puolijohdeomavaraisuus Yhdysvaltojen vientirajoitusten keskellä.